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光谷筑芯微電子精密器件智造基地項目，是武漢新城十大重點項目之一。項目自年初啟動以來始終以高標準、嚴要求推進建設(shè)。在施工過程中，不僅注重工程質(zhì)量與進度，還高度重視文明施工與環(huán)境保護，確立了“模塊化布局、定型化管理、標準化防護、程序化施工、規(guī)范化作業(yè)、和諧化環(huán)境”的項目管理方針。

聯(lián)投湖北工建始終以安全生產(chǎn)、文明施工及環(huán)境保護視為首要任務，嚴格遵循武漢市安全文明施工標準化規(guī)范，進行科學規(guī)劃與管理。目前，項目已成功進入二次結(jié)構(gòu)施工及幕墻鋼結(jié)構(gòu)施工準備階段，后續(xù)施工推進順利，資源配置得當，為確保年終產(chǎn)值達標及明年任務順利完成奠定了穩(wěn)固的基礎(chǔ)。

光谷筑芯微電子精密器件智造基地項目位于未來一路以東、梨山街以南、高陽路以西、科技四路以北，凈用地面積5.7萬㎡，總建筑面積約1萬㎡，包含 6#、7#、8#、9#高層試驗車間，10#、11#、12#、13#多層中試車間和局部一層地下室，總投資約為9.43億元，計劃竣工日期為2025年9月9日。

項目建成后，將與光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園項目形成產(chǎn)業(yè)聚集，共同打造國家級集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、ICC平臺等，助力東湖高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。